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NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.2
1.0
1.1
1.0
I D = 1.2 mA
V DS = V GS
0.9
0.8
? 40 ° C
25 ° C
0.9
0.8
0.7
100 ° C
0.7
0.6
150 ° C
V GS = 0 V
0.6
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
250
T ( ° C)
Figure 14. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature
3.0
I S (A)
Figure 15. Source ? Drain Diode Forward
Characteristics
200
150
V DD = 25 V
I D = 5 A
R G = 0 W
2.5
2.0
V DD = 25 V
I D = 5 A
R G = 0 W
? dV DS /d t(on)
1.5
100
50
t d(off)
t f
1.0
0.5
dV DS /d t(off)
0
3
t d(on)
4
5
6
7
8
9
t r
10
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS (V)
Figure 16. Resistive Load Switching Time vs.
Gate ? Source Voltage
V GS (V)
Figure 17. Resistive Load Switching
Drain ? Source Voltage Slope vs. Gate ? Source
Voltage
100
75
V DD = 25 V
I D = 5 A
t d(off) , V GS = 10 V
t d(off) , V GS = 5 V
2.50
2.25
2.00
1.75
V DD = 25 V
I D = 5 A
? dV DS /d t(on) , V GS = 10 V
50
25
0
0
t f , V GS = 5 V
t d(on) , V GS = 5 V t d(on) , V GS = 10 V
500 1000
t f , V GS = 10 V
t r , V GS = 5 V
t r , V GS = 10 V
1500
2000
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
dV DS /d t(off) , V GS = 5 V
500
1000
dV DS /d t(off) , V GS = 10 V
? dV DS /d t(on) , V GS = 5 V
1500 2000
R G ( W )
Figure 18. Resistive Load Switching Time vs.
Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G ( W )
Figure 19. Drain ? Source Voltage Slope during
Turn On and Turn Off vs. Gate Resistance
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A9BAA-0205F FLEX CABLE - AFF02A/AF02/AFE02T
R1S12-3.324-R CONV DC/DC 1W 3.3VIN 24VOUT
GBC13DRYS CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD
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GEC20DRTN-S734 CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
NCV8403DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 14A SINGLE N CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT1G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT3G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405A 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405ADTRKG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT3G 功能描述:IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6） 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1